| 원래 장소: | 중국 |
|---|---|
| 브랜드 이름: | CRYLINK |
| 인증: | Iso9001 |
| 모델 번호: | CRYLINK-MgAl2O4Crystal |
| 최소 주문 수량: | 1 조각 |
| 가격: | negotiation |
| 포장 세부 사항: | 상자 |
| 배달 시간: | 3-4 주 |
| 지불 조건: | TT |
| 공급 능력: | /month 100개 조각 |
| 이름: | MgAl2O4 결정 기판 | 수직: | 5 |
|---|---|---|---|
| 표면 품질: | 10/5 | 파면 찡그림: | /4 @632nm |
| 하이 라이트: | 갈륨 가돌리늄 석류석,mgal2o4 첨정석 |
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기술
마그네슘 알루미네이트 (MgAl2O4 또는 첨정석) 넓게 벌크 탄성파를 위해 사용된 단일 크리스탈사레와 마이크로파 소자와 빠른 IC 에피텍셜 부재. MgAl2O4는 중간 IR까지 줄곧 상품으로부터의 우수한 전송을 요구하는 창과 렌즈를 포함하는 다양한 광학적이고 전자적이고 구조적 응용에 사용하기 위한 매력적인 물질입니다. 이론적 전송은 매우 획일적이고, 0.3 내지 5 마이크론 사이에 87%에 접근합니다. 경향의 계속 늘어나는 성능요건을 위한 특히 매력적이고 차세대 IR 화상 처리 시스템로 만들면서, 송신 특성은 미드웨이브 IR 알론의 그것과 사파이어 빛이 경쟁합니다.
MgAl2O4가 III-V 질화물 장치를 위한 좋은 기판인 것은 또한 알려져 있습니다. 첨정석 (MgAl2O4)는 그와 같은 GaN LD 기판을 위해 1명의 후보입니다. MgAl2O4의 결정학적 구조는 스피넬형 (Fd3m) 이고 그것의 격자 상수가 8.083A. MgAl2O4가 상대적으로 저비용 기판 물질이라는 것 이며, 그것이 성공적으로 고급 품질 갈륨질화물 필름의 성장에 적용되었습니다. MgAl2O4는 계속 쪼개집니다 그 (100) 비행기. GaN LD 공동은 따라서 단순히 클빙 MgAl2O4 기판에 의해 획득되었습니다 그 (100) 또한 아연산화물에 대해 잘 작용할 방향. MgAl2O4 크리스탈은 매우 단상 조직을 유지하는 것에 어려움 때문에, 성장하기가 어렵습니다.
특징
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좋은 광학, 화학적이고 열 속성 |
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좋은 고온 물성 |
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안정적 물리 성능 |
애플리케이션
| MgAl2O4 기판 |
주요 상술
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재료 |
MgAl2O4 |
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배향 |
[100] 또는 [100] 또는 [111] <> |
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대비 |
10 |
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수직 |
5 |
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표면 품질 |
10/5 |
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파면왜 |
/4 @632nm |
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표면 평탄도 |
/8 @632nm |
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개방 간극 |
>95% |
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챔퍼 |
<0> |
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두께 / 직경 공차 |
±0.05 밀리미터 |
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최대 디멘션 |
dia 50×100mm |
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코팅 |
AR/AR@940+1030HR@1030+HT@940+AR1030 |
재료 특성
물리적이고 케미칼캐릭터이스틱스
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화학식 |
MgAl2O4 |
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결정 구조 |
입방 : m3m |
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격자 파라미터, |
= 8.083 |
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녹는 핵심(C) |
2130' Ｃ |
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비중, g/cm3 |
3.61 g/cm3 |
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전송 범위 |
0.215.3 Ｍ |
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굴절률 |
1.8245 @0.8 Ｍ, |
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모스 경도 |
8 |
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25' Ｃ, Wxcm-1xK-1에 있는 열전도율 |
14.0 W/(mK) |
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열팽창계수 |
7.45×10-6/K |
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위상 속도 |
(100) 전단파에 있는 6500 초당 미터 |
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전파 손실 |
6.5 dB/ms |
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비열 |
0.59 W.s/g/K |
