이름: | 아연산화물 결정 기판 | 오리엔테이션: | [0 0 0 -1] 또는 [1 0 -1 0] < ±0.5' |
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평행선: | 10 | 수직: | 5 |
하이 라이트: | 갈륨 가돌리늄 석류석,mgal2o4 첨정석 |
기술
산화 아연 (ZnO) 단일 결정이 백금 내부 컨테이너를 사용하여 열수법에 의해 성장되었습니다. 아연산화물 웨이퍼가 이러한 벌크 결정으로부터 획득한 2 인치는 극단적으로 고결정화도와 순도를 소유합니다. 전기 고유 저항은 전체 웨이퍼 영역 위에서 동일 형식입니다. 단련한 후, 계단-테라스 구조는 웨이퍼의 표면에 관찰되었습니다.
에치 피트 밀도는 80 이하 cm2로 감소되었습니다. 이러한 2 인치 아연산화물 웨이퍼가 와이드 밴드 갭 장치 애플리케이션에 적합하다고 이러한 결과는 제안합니다. 밴드갭은 UV 기기와 더불어 광전자학에서 청색과 보라 앱의 다수를 위해 그것을 매력적이게 하는 3.4 에프레인지에 있습니다.
특징
애플리케이션
주요 상술
재료 |
아연산화물 |
배향 |
[0 0 0 -1] 또는 [1 0 -1 0] <> |
대비 |
10 |
수직 |
5 |
서페이스퀄이티 |
10/5 |
웨이브프론토디스토션 |
/4@632nm |
서페이스플랫네스스 |
/8@632nm |
클리어아페르처 |
>95% |
챔퍼 |
<0> |
두께 / 직경 공차 |
±0.05 밀리미터 |
맥시멈차원스 |
dia50×100mm |
코팅 |
AR/AR@940+1030HR@1030+HT@940+AR1030 |
재료 특성
물리적이고 케미칼캐릭터이스틱스
타입어브 재료 |
단일 결정체 |
결정구조<結晶構造> |
6 각형, = b=3.252 , |
분자량 |
81.47 |
굴절률 |
어떤 = 1.3836, ne = 1.3957@0.405 M |
리플렉티브로스 |
5,1%@4,0 M ; 11,2% @0.12 M |
비중 |
5.7g/cm3 |
융점 |
1975년' C |
열전도율 |
6 W/(mK) |
트헤름알렉팬션 |
a6.5 10-6 /' C ; C :3.710-6 / 'C @20' C |
견고성(모스) |
4 |
디엘렉트릭콩스탕 |
C4.87 ; ⊥C5.45 @95 킬로 헤르츠 - 42 마하즈 |
솔루빌리티인은 급수됩니다 |
부정 |
표준품
배향 |
말단 구조, nm |
두께, nm |
광전송 |
[0 0 0 -1] |
5×5 |
0.5 |
어떤 = 1.3836, @0.405 M |
[1 0 -1 0] |
|||
[0 0 0 -1] |
1 |
||
[1 0 -1 0] |
|||
[0 0 0 -1] |
8×8 |
0.5 |
|
[1 0 -1 0] |
|||
[0 0 0 -1] |