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질화물에 산화아연 기질 결정/ZnO 웨이퍼 Excellentlattice 경기

기본 정보
원래 장소: 중국
브랜드 이름: CRYLINK
인증: Iso9001
모델 번호: CRYLINK-ZnO 기질 결정
최소 주문 수량: 1 조각
가격: negotiation
포장 세부 사항: 상자
배달 시간: 3-4 주
지불 조건: TT
공급 능력: /month 100개 조각
상세 정보
이름: 아연산화물 결정 기판 오리엔테이션: [0 0 0 -1] 또는 [1 0 -1 0] < ±0.5'
평행선: 10 수직: 5
하이 라이트:

갈륨 가돌리늄 석류석

,

mgal2o4 첨정석


제품 설명

기술

산화 아연 (ZnO) 단일 결정이 백금 내부 컨테이너를 사용하여 열수법에 의해 성장되었습니다. 아연산화물 웨이퍼가 이러한 벌크 결정으로부터 획득한 2 인치는 극단적으로 고결정화도와 순도를 소유합니다. 전기 고유 저항은 전체 웨이퍼 영역 위에서 동일 형식입니다. 단련한 후, 계단-테라스 구조는 웨이퍼의 표면에 관찰되었습니다.

에치 피트 밀도는 80 이하 cm2로 감소되었습니다. 이러한 2 인치 아연산화물 웨이퍼가 와이드 밴드 갭 장치 애플리케이션에 적합하다고 이러한 결과는 제안합니다. 밴드갭은 UV 기기와 더불어 광전자학에서 청색과 보라 앱의 다수를 위해 그것을 매력적이게 하는 3.4 에프레인지에 있습니다.

 

특징

  • 엑셀렌트크리스탈라인 품질
  • 엑셀렌틀트라이스는 질화처리하기 위해 조화됩니다
  • 디바이스 집적화를 위한 에아스일리에트체드

애플리케이션

  • 반도체 회로 기판
  • 아연산화물은 이르렀습니다
  • 아연산화물 필름

주요 상술

재료

아연산화물

배향

[0 0 0 -1] 또는 [1 0 -1 0] <>

대비

10

수직

5

서페이스퀄이티

10/5

웨이브프론토디스토션

/4@632nm

서페이스플랫네스스

/8@632nm

클리어아페르처

>95%

챔퍼

<0>

두께 / 직경 공차

±0.05 밀리미터

맥시멈차원스

dia50×100mm

코팅

AR/AR@940+1030HR@1030+HT@940+AR1030

재료 특성

물리적이고 케미칼캐릭터이스틱스

타입어브 재료

단일 결정체

결정구조<結晶構造>

6 각형, = b=3.252 ,
c = 5.313

분자량

81.47

굴절률

어떤 = 1.3836, ne = 1.3957@0.405 M

리플렉티브로스

5,1%@4,0 M ; 11,2% @0.12 M

비중

5.7g/cm3

융점

1975년' C

열전도율

6 W/(mK)

트헤름알렉팬션

a6.5 10-6 /' C ; C :3.710-6 / 'C @20' C

견고성(모스)

4

디엘렉트릭콩스탕

C4.87 ; ⊥C5.45 @95 킬로 헤르츠 - 42 마하즈

솔루빌리티인은 급수됩니다

부정

표준품

배향

말단 구조, nm

두께, nm

광전송

[0 0 0 -1]

5×5

0.5

어떤 = 1.3836,
ne = 1.3957

@0.405 M

[1 0 -1 0]

[0 0 0 -1]

1

[1 0 -1 0]

[0 0 0 -1]

8×8

0.5

[1 0 -1 0]

[0 0 0 -1]

 

 

 

연락처 세부 사항
june

전화 번호 : +8618699681379