하이 라이트: | 785nm 반도체 레이저,0.22NA 반도체 레이저,600mW 반도체 레이저 |
---|
모델 | CL785-0.5-600mW-SWL001 | |
광섬유 변수 | 연속 출력 전원 (mW) | 600 |
중심 파장 (nm) | 785±0.5 | |
스펙트럼 폭 (nm) | ≤0.3 | |
온도 (nm/C)와 사고 방식의 특성 | 0.02 | |
현재 (nm/A)와 사고 방식의 특성 | 0.05 | |
전기적 매개 변수 | 문턱 전류 (mA) | 0.36 |
동작 전류 (mA) | 1.4 | |
동작 전압 (V) | 2.3 | |
차별적 효율 (W/A) | 0.6 | |
PD 경향 (uA) | 100-600 | |
서미스터는 (kΩ/β(25C))를 매개변수화합니다 | 10±5%/3450 | |
TEC 최대 전류 (A) | 2.2 | |
TEC 최대 전압 (V) | 8.7 | |
광섬유 파라미터 | 파이버 직경 (um) | 105 |
파이버 클래딩 지름 (um) | 125 | |
섬유 코팅 지름 (um) | 250 | |
개구수 | 0.22 | |
연결기 | SMA905 | |
다른 매개 변수 | 작동 온도 (C) | 10-30 |
상대 습도 (%)를 운영하기 | 75 | |
저장 온도 (C) | -20~70 | |
저장 상대 습도 (%) | 90 | |
핀 납땜 온도, 맥스 (C) | 250 (10 Sec.) |