이름: | (ZnO) 단일 결정 | 명확한 가늠구멍: | >95% |
---|---|---|---|
챔퍼: | <0> | 두께 / 직경 공차: | ±0.05 mm |
하이 라이트: | 갈륨 가돌리늄 석류석,zno 웨이퍼 |
산화 아연 (ZnO) 단일 결정이 백금 내부 컨테이너를 사용하여 열수법에 의해 성장되었습니다. 아연산화물 웨이퍼가 이러한 벌크 결정으로부터 획득한 2 인치는 극단적으로 고결정화도와 순도를 소유합니다. 전기 고유 저항은 전체 웨이퍼 영역 위에서 동일 형식입니다. 단련한 후, 계단-테라스 구조는 웨이퍼의 표면에 관찰되었습니다. 에치 피트 밀도는 80 cm-2 이하 감소되었습니다. 이러한 2 인치 아연산화물 웨이퍼가 와이드 밴드 갭 장치 애플리케이션에 적합하다고 이러한 결과는 제안합니다. 밴드갭은 UV 기기와 더불어 광전자학에서 청색과 보라 앱의 다수를 위해 그것을 매력적이게 하는 3.4 에프레인지에 있습니다.
특징
우수한 결정 품질 |
질화처리하기 위한 우수한 래티스 매치 |
쉽게 디바이스 집적화를 위해 식각됩니다 |
애플리케이션
반도체 회로 기판 |
아연산화물은 이르렀습니다 |
아연산화물 필름 |
주요 상술
재료 |
아연산화물 |
배향 |
[0 0 0 -1] 또는 [1 0 -1 0] <> |
대비 |
10 |
수직 |
5 |
표면 품질 |
10/5 |
파면왜 |
/4 @632nm |
표면 평탄도 |
/8 @632nm |
개방 간극 |
>95% |
챔퍼 |
<0> |
두께 / 직경 공차 |
±0.05 밀리미터 |
최대 디멘션 |
dia 50×100mm |
코팅 |
AR/AR@940+1030HR@1030+HT@940+AR1030 |
재료 특성
물리적이고 케미칼캐릭터이스틱스
물질의 유형 |
단일 결정 |
결정 구조 |
6 각형, = b=3.252, c = 5.313 |
분자량 |
81.47 |
굴절률 |
어떤 = 1.3836, ne = 1.3957 @0.405 M |
반사 손실량 |
5,1% @4,0 M ; 11,2% @0.12 M |
비중 |
5.7 g/cm3 |
융해점 |
1975년' C |
열전도율 |
6 W/(mK) |
열팽창 |
a : 6.510-6 /' C ; C :3.710-6 / 'C @20' C |
견고성 (모스) |
4 |
유전체 상수 |
C : 4.87; ⊥C : 5.45 @95 킬로 헤르츠 -42 마하즈 |
수용성 |
부정 |
표준품
배향 |
말단 구조, nm |
두께, nm |
광전송 |
[0 0 0 -1] |
5×5 |
0.5 |
어떤 = 1.3836, @0.405 M |
[1 0 -1 0] |
|||
[0 0 0 -1] |
1 |
||
[1 0 -1 0] |
|||
[0 0 0 -1] |
8×8 |
0.5 |
|
[1 0 -1 0] |
|||
[0 0 0 -1] |
1 |
||
[1 0 -1 0] |
|||
[0 0 0 -1] |
10×10 |
0.5 |
|
[1 0 -1 0] |
|||
[0 0 0 -1] |
1 |
||
[1 0 -1 0] |
|||
[0 0 0 -1] |
15×15 |
0.5 |
|
[1 0 -1 0] |
|||
[0 0 0 -1] |
1 |
||
[1 0 -1 0] |
|||
[0 0 0 -1] |
dia 25.4 |
0.5 |
|
[1 0 -1 0] |
|||
[0 0 0 -1] |
1 |
||
[1 0 -1 0] |
|||